IBM i Samsung su najavili svoj najnoviji napredak u dizajnu poluvodiča, odnosno novi način slaganja tranzistora vertikalno na čip (umjesto horizontalnog slaganja na površinu poluvodiča).
tri vijesti o kojima se priča


Novi takozvani VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) dizajn zamišljen je kao nasljednik FinFET tehnologije koja se danas koristi za neke od najnaprednijih čipova na tržištu i koja bi mogla omogućiti još gušću tranzistorsku strukturu čipova, od one koja se danas koristi.
U osnovi tim novim dizajnom tranzistori bi se slagali vertikalno, što bi omogućilo električnoj energiji da teče gore-dolje kroz tranzistore, umjesto širinom tranzistora, kao što je slučaj s dizajnom koji se danas koristi u većini čipova.
Vertikalni dizajni za poluvodiče trend su već neko vrijeme, a FinFET tehnologija i sam već nudi neke od prednosti tog dizajna.
I dok još nismo blizu korištenja VTFET dizajna u potrošačkim čipovima, dvije navedene kompanije iznose velike tvrdnje, ističući da VTFET čipovi mogu dati "dvostruko povećanje u performansama ili 85 posto manju potrošnju energije", u odnosu na trenutne FinFET dizajnirane čipove.
Štoviše, IBM i Samsung tvrde da bi VTFET tehnologija pomogla u održavanju cilja Mooreovog zakona o stabilnom povećanju broja tranzistora i u budućnosti.
Obje tvrtke navode i moguće primjene za tu novu tehnologiju, poput ideje da baterije mobitela traju preko tjedan dana bez punjenja, umjesto tek dan-dva, kao i manje energetski intenzivno rudarenje kriptovaluta te još moćnije IoT uređaje ili čak svemirske letjelice.
Izvor: The Verge