IBM i Samsung su najavili svoj najnoviji napredak u dizajnu poluvodiča, odnosno novi način slaganja tranzistora vertikalno na čip (umjesto horizontalnog slaganja na površinu poluvodiča).
Novi takozvani VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) dizajn zamišljen je kao nasljednik FinFET tehnologije koja se danas koristi za neke od najnaprednijih čipova na tržištu i koja bi mogla omogućiti još gušću tranzistorsku strukturu čipova, od one koja se danas koristi.
U osnovi tim novim dizajnom tranzistori bi se slagali vertikalno, što bi omogućilo električnoj energiji da teče gore-dolje kroz tranzistore, umjesto širinom tranzistora, kao što je slučaj s dizajnom koji se danas koristi u većini čipova.
Vertikalni dizajni za poluvodiče trend su već neko vrijeme, a FinFET tehnologija i sam već nudi neke od prednosti tog dizajna.
I dok još nismo blizu korištenja VTFET dizajna u potrošačkim čipovima, dvije navedene kompanije iznose velike tvrdnje, ističući da VTFET čipovi mogu dati "dvostruko povećanje u performansama ili 85 posto manju potrošnju energije", u odnosu na trenutne FinFET dizajnirane čipove.
Štoviše, IBM i Samsung tvrde da bi VTFET tehnologija pomogla u održavanju cilja Mooreovog zakona o stabilnom povećanju broja tranzistora i u budućnosti.
Obje tvrtke navode i moguće primjene za tu novu tehnologiju, poput ideje da baterije mobitela traju preko tjedan dana bez punjenja, umjesto tek dan-dva, kao i manje energetski intenzivno rudarenje kriptovaluta te još moćnije IoT uređaje ili čak svemirske letjelice.
Izvor: The Verge
